申請號：201310154570.1 申請日：2013-04-28

       摘要：本發明涉及一種納米碳化硅的制備方法，屬于納米材料技術領域。將納米二氧化硅和炭質材料混合均勻，然后將混合物壓制成片并燒結后作為陰極，以石墨為陽極，將陰極和陽極放入熔融的氯化物熔鹽電解質中，在500℃～1000℃溫度下，在陰極和陽極之間施加電壓進行電解，將陰極制備得到的產物依次經過堿洗、水洗和干燥，最終得到高純度的納米SiC。該工藝具有流程短、能耗低，對環境友好等特點。

       申請人： 昆明理工大學
       地址： 650093 云南省昆明市五華區學府路253號
       發明(設計)人： 馬文會 謝江生 魏奎先 秦博 伍繼君 謝克強 周陽 龍萍 楊斌 戴永年
       主分類號： C01B31/36(2006.01)I
       分類號： C01B31/36(2006.01)I B82Y30/00(2011.01)I