納米管或納米線的成核階段大部分符合氣-液-固（簡(jiǎn)稱VLS）生長(zhǎng)機(jī)制，有些符合氣-固（簡(jiǎn)稱VS）生長(zhǎng)機(jī)制，其中最重要的是VLS機(jī)制。VLS機(jī)制是由Wagner和Ellis于1964年為了解釋包含雜質(zhì)的晶須定向生長(zhǎng)而提出的。后來(lái)發(fā)現(xiàn)VIS機(jī)制在薄膜和晶體生長(zhǎng)中也占有很重要的位置。以硅納米線的形成過(guò)程為例：首先在硅襯底上沉積一層金膜，然后將其加熱至950℃，膜中的金原子與襯底表面的硅原子發(fā)生反應(yīng)，形成Au-Si合金小液滴。由SiCl4氣體中裂解出的硅原子從一側(cè)面不斷地溶入合金小液滴，并在液滴內(nèi)部擴(kuò)散，造成硅在合金小液滴中的過(guò)飽和，然后過(guò)飽和硅再?gòu)暮辖鹦∫旱蔚牧硪粋?cè)析出，這種溶解-擴(kuò)散-析出的過(guò)程導(dǎo)致了硅線的生長(zhǎng)。采用CVD方法制備納米管時(shí)，一般是按照VLS機(jī)制生長(zhǎng)，特別是在有催化劑作用下，氣體反應(yīng)物在反應(yīng)室通過(guò)裂解反應(yīng)生成一維納米管的過(guò)程就是按照VLS機(jī)制生長(zhǎng)。VS生長(zhǎng)機(jī)制是生長(zhǎng)纖維和納米線的另外一種重要的生長(zhǎng)機(jī)制，其特點(diǎn)是生成物氣體在過(guò)飲和狀態(tài)下凝結(jié)為固體時(shí)，如果有一個(gè)合適的擇優(yōu)取向，從形核處就會(huì)沿一定的方向生長(zhǎng)而成為一維形態(tài)的纖維或納米線。事實(shí)讓，通過(guò)VS機(jī)制產(chǎn)生纖維或納米線的原因很復(fù)雜，因?yàn)樯晌餁怏w在過(guò)飲和狀態(tài)下凝結(jié)為固體時(shí)更容易生成顆粒。在納米線的合成中，都使用了N2或Ar作為流動(dòng)載氣，這些氣體本身并不一定參與反應(yīng)，但流動(dòng)的載氣明顯對(duì)纖維或納米線的生長(zhǎng)有利。許多研究者認(rèn)為，較低的生成物氣體分壓有利于一維線狀材料的生成。N2或Ar作為流動(dòng)的載氣帶走了部分氣態(tài)的生成物，在一定的區(qū)域內(nèi)使生成物有較低的分壓，如果有合適的沉名優(yōu)基底和合適的生長(zhǎng)條件，就可能生成纖維，納米管或納米線。
　　納米碳管的生長(zhǎng)有其特殊性，許多問(wèn)題難以用傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)理論來(lái)解釋。如碳的同素異構(gòu)體很多，在什么條件下可生長(zhǎng)出納米碳管，為何有的是單壁管而有的是多壁管，為何多層納米碳管會(huì)封口等，這些都涉及納米碳管的生長(zhǎng)機(jī)理，只有清楚地了解其生長(zhǎng)機(jī)理，才能夠在制備過(guò)程中有目的地控制納米碳管的結(jié)構(gòu)和性能。目前，對(duì)納米碳管的生長(zhǎng)機(jī)理的研究取得了很大進(jìn)展，但尚有待完善。