走進山東大學晶體材料國家重點實驗室，更像是走進了夢幻般的“水晶宮”。在這里，晶瑩的紅色寶石、剔透的人造鉆石，已經(jīng)不再是最吸引眼球的瑰寶，而展廳正中重達380公斤的透明KDP晶體，大概是最美麗而昂貴的———它展現(xiàn)的是科學的美。在陶緒堂博士的引導和解說下，我們理解了“晶體是美麗的，更是有用的”這句話的含意。
　　　　
　　“晶體與氣體、液體以及非晶質固體的本質區(qū)別是結構上的‘長程有序’，晶體的‘長程有序’規(guī)律，可以用點陣構造來描述。在晶體中，晶瑩透明的有很多，但并不是所有透明的固體都是晶體，如玻璃就不是晶體。這是因為，玻璃并沒有‘長程有序’結構。”陶緒堂博士深入淺出的解釋，讓我們對這座神秘的科學殿堂親近了許多。
　　
　　我們的腳步踏進碳化硅單晶實驗室。與KDP晶體生長實驗室不同的是，這里的儀器設備精密且復雜，空間布局緊湊，這里有目前世界上最先進的碳化硅單晶生長爐，價值超過800萬元。
　　主持這一研究的徐現(xiàn)剛博士說，碳化硅晶體被稱為第三代半導體材料，又稱為寬禁帶半導體材料、高溫半導體材料等，是目前國際上的研究熱點。它們具有高熱導率、高臨界擊穿電場和低介電常數(shù)等特點，成為耐高溫、大功率、耐高壓、抗輻照的半導體器件的優(yōu)選材料。其器件可用于核反應堆系統(tǒng)、宇航、電力系統(tǒng)等領域的極端環(huán)境中。該晶體的生長條件苛刻，需在2100℃以上保持高真空一周以上，且對籽晶質量、固定方式等也有很高要求。晶體材料國家重點實驗室利用長期研究工作中積累的單晶生長經(jīng)驗，結合自行設計的獨特的坩堝和溫場，配合國外進口設備，在短時間內(nèi)成功地生長出直徑達2英寸的碳化硅晶體，并圓滿解決了切片、拋光等工藝。大尺寸碳化硅晶體的研制成功，使我國成為繼美國、日本、德國之后，有能力生長這種晶體的國家，打破了西方國家對我國的禁運，并為我國的高溫半導體材料的研發(fā)和應用跨出了重要的一步。