機構(gòu)稱，SiC滲透率提升且短期內(nèi)器件價格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市場規(guī)模有望迎來增速最快的三年周期。

       需求高漲之下，近期，碳化硅（SiC）行業(yè)的頭部企業(yè)如Wolfspeed、安森美均披露了最新擴產(chǎn)計劃。

       Wolfspeed宣布將建造世界上最大的碳化硅材料工廠，旨在將公司在北卡羅來納州的碳化硅材料的產(chǎn)能提高10倍以上；安森美計劃在今年將碳化硅襯底產(chǎn)能擴充4倍，其生產(chǎn)碳化硅器件的新廠于8月落成，該廠將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加5倍。

       這兩家公司均表示碳化硅下游需求旺盛，預計產(chǎn)能供不應求局面將持續(xù)，碳化硅業(yè)務有望持續(xù)為公司貢獻營收。

       大廠動向往往被視作行業(yè)風向標，這股碳化硅之風吹向了哪里呢？

       電動車、光儲成有力推手

       首先是電動汽車。Wolfspeed明確表示，新的材料工廠將生產(chǎn)為電動汽車等提供動力的芯片原材料；安森美的汽車業(yè)務現(xiàn)已成為其體量最大、增速最快的業(yè)務，其碳化硅器件新廠也旨在滿足電動車領(lǐng)域的碳化硅需求。

       國內(nèi)，理想汽車功率半導體研發(fā)及生產(chǎn)基地、長城汽車旗下蜂巢易創(chuàng)第三代半導體模組封測制造基地等項目均處于計劃建設(shè)、即將建成或已運行等階段。

       根據(jù)EVTank數(shù)據(jù)顯示，新能源汽車2025年銷量將達到1800萬輛，19-25年CAGR為42%。隨著新能源車滲透率不斷升高，以及整車架構(gòu)朝800V高壓方向邁進，碳化硅器件在主逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)及充電樁等領(lǐng)域有望迎來規(guī)模化發(fā)展。

       開源證券表示，車規(guī)級市場是碳化硅最主要的應用場景。國產(chǎn)碳化硅模塊上車進展順利，包括BYD、吉利、埃安等量產(chǎn)（或定點）車型均已搭載由國產(chǎn)碳化硅模塊供應商提供的主驅(qū)逆變器模塊，國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈參與者有望充分受益。

       電動車之外，國內(nèi)政策正引導碳化硅向光伏、儲能領(lǐng)域滲透。

       8月25日，工信部發(fā)布《關(guān)于推動能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導意見（征求意見稿）》，提出“面向光伏、風電、儲能系統(tǒng)、半導體照明等，發(fā)展新能源用耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠IGBT器件及模塊，SiC、GaN等先進寬禁帶半導體材料與先進拓撲結(jié)構(gòu)和封裝技術(shù)，新型電力電子器件及關(guān)鍵技術(shù)”。

       與此同時，該領(lǐng)域的碳化硅應用也逐步與商業(yè)化接軌，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈公司新成果頻現(xiàn)。

       8月12日，晶盛機電首顆8英寸N型SiC晶體出爐；新潔能基于650V和1200V平臺的多款應用于光伏逆變行業(yè)的IGBT模塊產(chǎn)品；斯達半導可供應搭載自研芯片的650V/1200VIGBT單管及模塊，已成為逆變器、儲能變流器頭部供應商；湖南三安的碳化硅二極管系列已經(jīng)深入光伏、服務器電源和充電樁等領(lǐng)域的頭部企業(yè)供應鏈。

       中金公司表示，在新能源車、光伏發(fā)電等重點行業(yè)終端出貨量快速成長，SiC滲透率提升且短期內(nèi)器件價格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市場規(guī)模有望迎來增速最快的三年周期。

       本土廠商已在關(guān)鍵環(huán)節(jié)有所突破

       值得注意的是，襯底一直是SiC行業(yè)產(chǎn)能的一大關(guān)鍵瓶頸，簽長約、并購成為產(chǎn)業(yè)鏈廠商攫取襯底供應保障的兩大手段。

       例如，COHERENT（前身為II-VI）、羅姆、意法半導體等已依靠并購掌握碳化硅襯底資源，而Wolfspeed大部分產(chǎn)能已被幾大IDM廠商通過長協(xié)預訂，且英飛凌、東莞天域半導體已與COHERENT簽下襯底采購長約。

       從競爭格局上看，海外頭部廠商占據(jù)該環(huán)節(jié)主要份額，國內(nèi)企業(yè)也在積極研發(fā)和探索并有所突破。其中，天岳先進在半絕緣SiC襯底的市場占有率連續(xù)三年保持全球前三；天科合達在國內(nèi)率先成功研制6英寸SiC襯底，并已實現(xiàn)2-6英寸SiC晶片的規(guī)模化生產(chǎn)和器件銷售。