申請號: 201410743574.8
       申請日: 2014.12.08
       國家/省市: 中國上海(31)
       公開號: 104478438A
       公開日: 2015.04.01
       主分類號: C04B 35/565(2006.01)
       分類號: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
       申請人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所

       發明人: 陳健; 黃政仁; 劉學建; 陳忠明; 姚秀敏; 袁明; 劉巖; 閆永杰; 朱云洲; 劉桂玲; 張輝
       代理人: 曹芳玲 鄭優麗
       代理機構: 上海瀚橋專利代理事務所（普通合伙）(31261)
       申請人地址: 上海市長寧區定西路1295號

       摘要： 本發明涉及一種低電阻率碳化硅陶瓷及其制備方法，所述低電阻率碳化硅陶瓷的組成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN的含量1—5wt%，B4C的含量≤1wt%，C的含量為0—3wt%，其余為SiC。

       主權利要求 1.一種低電阻率碳化硅陶瓷，其特征在于，所述低電阻率碳化硅陶瓷的組成包括SiC、AlN、B4C、C，其中，AlN的含量1—5wt%，B4C的含量≤1wt%，C的含量為0—3wt%，其余為SiC。