山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司依托山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(中國晶體領(lǐng)域唯一國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室),山東天岳自主研發(fā)的碳化硅晶體生長和襯底加工技術(shù)達(dá)到了世界先進(jìn)水平，擁有了獨(dú)立的自主知識產(chǎn)權(quán)。打破了以美國為首的西方發(fā)達(dá)國家的技術(shù)壟斷和封鎖。
       半導(dǎo)體碳化硅單晶材料廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、射頻器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED),產(chǎn)品涉及到軍事工業(yè)、民用航空、半導(dǎo)體照明、電子產(chǎn)品背光源等國家鼓勵發(fā)展產(chǎn)業(yè),是第三代半導(dǎo)體的核心材料,屬于《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要》和國家“十二五”發(fā)展規(guī)劃中重點(diǎn)培育和發(fā)展的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。
       從我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展的實(shí)際情況來看,如果“金字塔尖”的碳化硅材料上游開發(fā)受阻,將嚴(yán)重制約產(chǎn)業(yè)鏈中下游的器件、封裝與應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。長期以來,我國的電子器件主要依靠進(jìn)口,其中2011年的進(jìn)口額就高達(dá)3000億美元,超過了石油進(jìn)口額。半導(dǎo)體碳化硅襯底及芯片的重要戰(zhàn)略價(jià)值,使其始終穩(wěn)居美國商務(wù)部的禁運(yùn)名單,這也導(dǎo)致我國很難從國外獲得相應(yīng)產(chǎn)品。而如今,山東天岳公司已將山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室十余年的研發(fā)成果大尺寸碳化硅襯底生長加工技術(shù),進(jìn)行了產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化,填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白,打破歐美發(fā)達(dá)國家長期以來對我國的技術(shù)壟斷、產(chǎn)品禁運(yùn),從源頭上解決了受制于人的局面。