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第三代半導體碳化硅項目落戶中關村海淀園

關鍵詞碳化硅|2011-06-21 16:46:10|來源中國磨料磨具網

摘要經過近一年的推進工作，美國羅格斯大學趙建輝教授的第三代半導體碳化硅(SiC)外延及器件產業化項目，目前已確定落戶中關村海淀園。該項目中試及初期生產場地最終確定在海淀東升科技園，目前...

　　經過近一年的推進工作，美國羅格斯大學趙建輝教授的第三代半導體碳化硅(SiC)外延及器件產業化項目，目前已確定落戶中關村海淀園。
　　該項目中試及初期生產場地最終確定在海淀東升科技園，目前已簽訂租賃協議。該項目致力于開拓第三代半導體碳化硅的全球市場，建設碳化硅半導體產業群，形成中國的“碳化硅谷”。
　　
　　
　　
　　來源:中國網

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