鍵合碳化硅襯底即指通過在低電阻多晶SiC支撐襯底上鍵合一層高質(zhì)量的單晶SiC薄層，這些產(chǎn)品能夠在保持單晶SiC特性的同時(shí)，也能實(shí)現(xiàn)整個(gè)襯底的低電阻和減少電流衰減，從而實(shí)現(xiàn)高性能和有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。近期，住友金屬，Resonac（原昭和電工）以及東海碳素等日本企業(yè)紛紛進(jìn)軍該領(lǐng)域，以下為更加詳細(xì)的報(bào)道。

       esonaRc（原昭和電工）

       2024年9月24日，Resonac（原昭和電工）官網(wǎng)宣布，他們與Soitec簽訂了聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，雙方將共同開發(fā)8英寸SiC——Resonac將在8英寸襯底制造中采用Soitec的Smart SiC?技術(shù)，最終提高8英寸碳化硅外延的生產(chǎn)效率，并實(shí)現(xiàn)碳化硅外延片業(yè)務(wù)供應(yīng)鏈的多樣化。

       住友金屬

       2024年9月27日，住友金屬礦山株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“住友金屬”）及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸（200mm）SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅（SiC）襯底。住友金屬預(yù)計(jì)，隨著8英寸襯底生產(chǎn)線的建成，到2025財(cái)年下半年，鍵合SiC襯底的月產(chǎn)能將超過10,000片（6英寸等效）。同時(shí)，Sicoxs還計(jì)劃開始向其被許可方供應(yīng)多晶SiC支撐基板。

       東海碳素

       據(jù)日媒報(bào)道，2024年8月，碳和石墨產(chǎn)品綜合制造商?hào)|海碳素（Tokai Carbon）擬投資54億日元（折合人民幣約為2.7億元）在日本神奈川縣茅崎市建立一條多晶SiC晶圓專線，并預(yù)計(jì)將于2024年12月完成建設(shè)。

       東海炭素開發(fā)的用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓，被稱為“層壓SiC晶圓”。層壓SiC晶圓是通過將帶有預(yù)刻槽的單晶SiC晶圓與多晶SiC晶圓鍵合，然后加熱剝離刻槽部分，在作為襯底的多晶SiC晶圓上形成單晶SiC薄膜而制成的。由于單晶SiC層是薄膜，單晶SiC晶圓可重復(fù)使用10次以上，一張單晶SiC晶圓可生產(chǎn)10張以上的鍵合晶圓。

       此前報(bào)道，今年5月，東海炭素與法國(guó)半導(dǎo)體材料制造商Soitec就多晶SiC晶圓達(dá)成合作，公司將在中長(zhǎng)期內(nèi)為Soitec供應(yīng)6英寸和8英寸多晶SiC晶圓。

       除了在日本茅崎市基地設(shè)立多晶SiC專線外，東海炭素還計(jì)劃在其位于韓國(guó)京畿道安城市的現(xiàn)有工廠生產(chǎn)多晶SiC。