II-VI 公司將合作建立碳化硅半導(dǎo)體基底制造基地
關(guān)鍵詞 半導(dǎo)體基底|2005-05-25 00:00:00|來源 中國磨料磨具網(wǎng)
摘要 II-VI公司宣布它將在Starkville與SemiSouth實驗室和密西西比州立大學(xué)合作建立一個碳化硅(SiC)半導(dǎo)體基底制造基地。碳化硅可用來作為藍(lán)紫光發(fā)光二極管的基底,同時...
II-VI公司宣布它將在Starkville與SemiSouth實驗室和密西西比州立大學(xué)合作建立一個 碳化硅(SiC) 半導(dǎo)體基底制造基地。 碳化硅可用來作為藍(lán)紫光發(fā)光二極管的基底,同時也能用于高溫電子學(xué)和光電子學(xué)、無線頻率電子學(xué),還有高能電子學(xué)。 這個合作可以將II-VI的碳化硅基底的生產(chǎn)能力和SemiSouth在SiC晶體外延材料生長技術(shù)方面的優(yōu)勢集中起來。技術(shù)和運(yùn)營支持將由II-VI的WBMG技術(shù)中心提供。 |
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