摘要 名稱碳化硅的制取方法公開號1042522公開日1990.05.30 主分類號C01B31/36分類號C01B31/36申請號88105168.3 分案原申請號申請日1988.11....
名稱 | 碳化硅的制取方法 | ||
公開號 | 1042522 | 公開日 | 1990.05.30 |
主分類號 | C01B31/36 | 分類號 | C01B31/36 |
申請號 | 88105168.3 | ||
分案原申請號 | 申請日 | 1988.11.08 | |
頒證日 | 優先權 | ||
申請人 | 東北工學院 | 地址 | 遼寧省沈陽市和平區文化路一段一號 |
發明人 | 馮乃祥; 徐秀芝; 李席夢 | 國際申請 | |
國際公布 | 進入國家日期 | ||
專利代理機構 | 東北工學院專利事務所 | 代理人 | 安宇宏 |
摘要 | 一種制取碳化硅晶體的方法。該方法是將制取碳化硅的反應料置于石墨化爐的保溫層內,生產石墨電極時同爐生產碳化硅。應用此方法可使石墨化爐的能源得到充分利用,降低碳化硅的生產成本。提高石墨電極制造廠的經濟效益。 |