碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型半導(dǎo)體材料，具有諸多潛在的優(yōu)點：更小的體積、更有效率、完全去除開關(guān)損耗、低漏極電流、比標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體(純硅半導(dǎo)體)更高的開關(guān)頻率以及在標(biāo)準(zhǔn)的125℃結(jié)溫以上工作的能力。這使得其在更高溫度環(huán)境以及更小空間的應(yīng)用中更加自如。

　　受限于SiC單晶材料和外延設(shè)備，國內(nèi)在SiC功率器件方面的實驗研究起步較晚，但是我國研究機(jī)構(gòu)一直在跟蹤國外SiC寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展。在國家973計劃和863計劃的支持下，先后啟動了相關(guān)項目研究，初步形成SiC晶體生長(中電46所、山東大學(xué)和中科院物理所等)、SiC器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(電子科技大學(xué)和西安電子科技大學(xué)等)、SiC器件制造(中電13所、55所和西安電子科技大學(xué)等)SiC器件研發(fā)隊伍。在產(chǎn)品開發(fā)上，我國企業(yè)聯(lián)合研究機(jī)構(gòu)也開發(fā)出了SiC-MOSFET、SiC-SBD和SiC功率管等。但是，相關(guān)產(chǎn)品的性能、工藝、商用等方面，均落后于國際水平。目前，SiC功率器件技術(shù)尚基本集中在日本、歐美等公司的手中。

　　單就Si器件和SiC器件的成本來看，雖然目前價格相差仍然比較大，但是如果從SiC器件帶來的系統(tǒng)性能提升來看，其帶來的總體效益將追平兩類不同器件形成的價差，特別是在高壓復(fù)雜環(huán)境中應(yīng)用，SiC器件的優(yōu)勢表現(xiàn)得更加明顯。未來隨著SiC功率器件產(chǎn)業(yè)化的擴(kuò)大，價格的進(jìn)一步降低，其應(yīng)用空間與市場前景將越來越光明。中國企業(yè)有必要加大這方面的研發(fā)與商業(yè)化，借技術(shù)升級之機(jī)，拉近與國際先進(jìn)技術(shù)的差距，追上國際巨頭的步伐，做大做強(qiáng)我國功率器件產(chǎn)業(yè)。