4月19日，保利協(xié)鑫在2017SNEC國(guó)際太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)及光伏工程展覽會(huì)上發(fā)布G3新型單晶硅片產(chǎn)品。據(jù)介紹，該產(chǎn)品使用鑄錠技術(shù)生產(chǎn)單晶，在效率、品質(zhì)、成本、產(chǎn)量上綜合了單晶和多晶各自的優(yōu)勢(shì)。來(lái)自多家電池組件企業(yè)的數(shù)據(jù)顯示，新型單晶硅片G3在常規(guī)電池工藝、PERC高效電池工藝下與直拉單晶的效率差均小于0.5個(gè)百分點(diǎn)，同時(shí)在成本上有明顯優(yōu)勢(shì)，對(duì)光伏的高效化、平價(jià)化發(fā)展意義重大，有望給傳統(tǒng)單晶技術(shù)帶來(lái)深刻變革。
       G3新品創(chuàng)造性地使用鑄錠技術(shù)生產(chǎn)單晶，“新”在鑄錠技術(shù)和單晶的完美結(jié)合。據(jù)保利協(xié)鑫首席技術(shù)官萬(wàn)躍鵬介紹，一直以來(lái)，光伏企業(yè)都采用鑄錠技術(shù)生產(chǎn)多晶、用直拉法生產(chǎn)單晶。但無(wú)論鑄錠技術(shù)還是直拉技術(shù)，都可以生產(chǎn)單晶或者多晶。保利協(xié)鑫采用新一代鑄錠技術(shù)路線生產(chǎn)單晶，融合了單晶完美的晶體結(jié)構(gòu)和表面特性、多晶的低成本等優(yōu)勢(shì)，G3新產(chǎn)品無(wú)論是外觀還是位錯(cuò)密度都可媲美直拉單晶。而且，鑄錠“鑫單晶”硅片光衰更低、組件封裝損失小且更容易擴(kuò)大尺寸，全壽命周期的實(shí)際輸出功率更高，可為應(yīng)用端帶來(lái)實(shí)實(shí)在在的高收益。
       萬(wàn)躍鵬用“高產(chǎn)能、高效率、低成本、低光衰”概括新產(chǎn)品的多重優(yōu)點(diǎn)。由于鑄錠單晶技術(shù)產(chǎn)出的同樣是晶向一致、位錯(cuò)密度低的單晶，可與傳統(tǒng)直拉單晶一樣使用堿制絨工藝，因此轉(zhuǎn)換效率非常接近直拉單晶產(chǎn)品，并完全適用于PERC等高效電池技術(shù)，帶來(lái)更高的產(chǎn)品效率。同時(shí)，G3硅片還繼承了鑄錠技術(shù)產(chǎn)品“光衰”較低的優(yōu)點(diǎn)，氧含量?jī)H為直拉單晶的一半，甚至優(yōu)于常規(guī)多晶硅片，因而由此帶來(lái)的組件光衰顯著優(yōu)于傳統(tǒng)直拉單晶。不僅如此，新型G3硅片比同樣邊長(zhǎng)為156.75mm的直拉單晶硅片面積多出136mm²，這意味著封裝成組件時(shí)的損失更小。
       更可貴的是，以上這些收益都是在低成本的情況下實(shí)現(xiàn)的。不同于采用直拉法制備的傳統(tǒng)單晶，新產(chǎn)品采用鑄錠技術(shù)，單次投料量大，生產(chǎn)成本明顯優(yōu)于采用“一爐三根”、“一爐四根”的直拉法單晶。鑄錠單晶的晶體結(jié)構(gòu)意味著其可以完美匹配金剛線切割技術(shù)，切割過(guò)程的硅料損失更小并可以生產(chǎn)更薄的硅片，這都是鑄錠單晶成本更低的原因所在。總體而言，保利協(xié)鑫G3新型單晶硅片使用的鑄錠技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)高效率、高收益的同時(shí)，十分討巧地避開(kāi)了單多晶各自的劣勢(shì)，有望給當(dāng)前單晶、多晶對(duì)立的競(jìng)爭(zhēng)格局帶來(lái)新的改變。