申請?zhí)?201610247000.0

申請日:2016.04.19

國家/省市:中國江蘇(32)

公開號:107304331A

公開日:2017.10.31

主分類號:C09G 1/02(2006.01)

分類號:C09G 1/02(2006.01); B24B 1/00(2006.01)

申請人:江蘇天恒納米科技股份有限公司

發(fā)明人:仲躋和

申請人地址:江蘇省南通市城東鎮(zhèn)東海大道(東)18號

摘要： 本發(fā)明公開了一種用于存儲器硬盤的CMP漿料及使用該漿料的拋光方法，包括CMP漿料組合物和研磨料，CMP漿料組合物包括含有羥基、羧基或其兩者的化合物、輔助添加劑以及去離子水，研磨料為二氧化硅溶膠，其中將二氧化硅溶膠加入CMP漿料組合物中并加入去離子水稀釋，直至CMP漿料體系的粘度小于10(mPa.s)，pH值在9.0?10.0之間波動。本發(fā)明在CMP漿料體系中增加輔助添加劑，用以提高CMP漿料的研磨拋光效果，且研磨料采用堿性球形納米粒子，其硬度小，能夠解決傳統(tǒng)CMP漿料對硬盤基片的劃傷問題，且穩(wěn)定性高，對設(shè)備要求低，使得該CMP漿料的拋光選擇性高，可操作性強(qiáng)，可廣泛用于存儲器硬盤的拋光領(lǐng)域。

主權(quán)利要求

1.一種用于存儲器硬盤的CMP漿料，包括CMP漿料組合物和研磨料，其特征在于：所述CMP漿料組合物包括含有羥基、羧基或其兩者的化合物、輔助添加劑以及去離子水，所述研磨料為二氧化硅溶膠，其中將二氧化硅溶膠加入CMP漿料組合物中并加入去離子水稀釋，直至CMP漿料體系的粘度小于10(mPa.s)，pH值在9.0-10.0之間波動。